硅纳米晶的制备和电荷储存特性  

Preparation and Charge Storage Characteristics of Silicon Nanoparticles

作　　者：焦正[1] 李珍[1] 吴明红[1] 吕森林[1] 王德庆[1] 

机构地区：[1]上海大学射线应用研究所,上海201800

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第5期927-930,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：上海市应用材料研究发展基金(批准号:0318);上海市启明星基金(批准号:03QB14017)资助项目~~

摘　　要：在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电.电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散.Silicon nanoparticles are prepared by heat treatm ent of Si/SiO 2/Si in vacuum.AFM is used to inject charges into silicon nanoparticles and the charge storage characteristics are studied.Results show charges can be kept in the surface and inside of silicon nanoparticles more than 10h,and discharge in several seconds.

关 键 词：纳米晶 纳米器件 电荷注入 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]