一维Si纳米材料的研究进展  

作　　者：艾飞[1] 刘岩[1] 周燕飞[1] 潘志雷[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所，上海200050

出　　处：《材料导报》2004年第F10期93-97,105,共6页Materials Reports

摘　　要：基于量子限域效应，一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质，在纳光电子学领域具有潜在的应用价值。通过掺杂或与其它材料的复合，硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件，既能作为功能单元也能用于器件互连。综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展。

关 键 词：纳米材料 研究进展 SI 一维 量子限域效应 硅纳米线 纳电子器件 化学性质 应用价值 光电子学 器件互连 功能单元 制备方法 生长机制 体材料 过掺杂 纳米管 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN305.3[电子电信—物理电子学]