反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应  

Electron-spin polarization effect in asymmetric magnetic-barrier nanostructures

作　　者：吴琦[1] 胡紫英[1] 

机构地区：[1]湖南科技学院电子工程与物理系,湖南永州425006

出　　处：《零陵学院学报》2004年第6期108-111,共4页

基　　金：零陵学院院级课题(零院字[2003]81号)永州市科技局(永科发[2004]19号)

摘　　要：提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。We propose a kind of asymmetric magnetic-barrier nanostructures and study its electron-spin transport properties. It is shown that, when the interaction between the electron spins and inhomogeneous magnetic field is considered this kind of magnetic-barrier nanostructures shows up an evident electron-spin polarization effect. Moreover, electron-spin polarization are relevant to the structure parameters of the system, so we can control spin-polarized electronic behavior by means of adjusting ferromagnetic stripes.

关 键 词：反对称磁垒纳米结构 电子自旋极化 隧穿输运 

分 类 号：O59[理学—应用物理]