外加电场对硅纳米线生长影响的研究  

作　　者：于灵敏[1] 范新会[1] 刘建刚[1] 刘春霞[1] 严文[1] 

机构地区：[1]西安工业学院材料与化工学院，西安710032

出　　处：《材料导报》2004年第F04期112-114,共3页Materials Reports

摘　　要：主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列，借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌，分析其化学成分及晶体结构，研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程，讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用。

关 键 词：硅纳米线 外加电场 生长影响 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 纳米线阵列 能谱分析仪 热蒸发法 晶体结构 化学成分 生长过程 定向排列 X射线 非晶 形貌 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN304.12[电子电信—物理电子学]