有关L波段EDFA的模型及其解法  

The New Solution of the Model of L-band Erbium-doped Amplifiers

作　　者：秦正[1] 孙军强[1] 李博[1] 

机构地区：[1]华中科技大学光电子工程系光纤通信与传感教研室,湖北武汉430074

出　　处：《光电子技术与信息》2005年第3期55-57,共3页Optoelectronic Technology & Information

摘　　要：通过Giles C R的EDFA数学模型,经过一系列的变换和近似得到一组光场强度与反转离子数浓度之间的带边界条件的偏微分方程。我们通过特定的数值方法解此方程组得到L波段EDFA的相关特性。The L band EDFA were calculated by using Giles model. The ASE spectrum of L-band EDFA and the relationship between the optimum length of L-band EDF and input pump power were numerically simulated.

关 键 词：GILES模型 L波段EDFA 放大自发辐射 

分 类 号：TN919.3[电子电信—通信与信息系统]