半导体激光穴位照射与立普妥治疗高脂血症的疗效比较  

作　　者：乔淑章[1] 陈莉[2] 康文巧[1] 刘立萍 王卉茜[4] 

机构地区：[1]河北省人民医院理疗科 [2]河北省血液中心 [3]正定县人民医院 [4]石家庄市中心医院

出　　处：《中国康复》2005年第3期167-167,共1页Chinese Journal of Rehabilitation

摘　　要：目的:比较半导体激光穴位照射与口服立普妥药物治疗高脂血症的疗效及副作用。方法:102例高脂血症患者随机分为2组各60例,分别进行半导体激光穴位照射与立普妥药物治疗,比较2组患者治疗前后高脂血症各项指标、肝功能及不良反应。结果:治疗后2组各项指标均有不同程度改善,激光组在提高HDL-C方面优于药物组,且无不良反应。结论:半导体激光穴位照射可明显提高高脂血症患者的降脂效果。

关 键 词：半导体激光 穴位照射 立普妥 高脂血症 副作用 

分 类 号：R589.2[医药卫生—内分泌]