Si^(2+)离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算  

CTMC calculation of Si^(2+)+Himpact ionization

作　　者：刘春雷[1] 何斌[1] 宁烨[1] 颜君[1] 王建国[1] 

机构地区：[1]北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室

出　　处：《物理学报》2005年第7期3206-3212,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10344001和10174009)资助的课题.~~

摘　　要：应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量“鞍点”电离机理的可能性.The Si2+ + H collision ionization is studied using classical trajectory Monte-Carlo (CTMC) method. The total cross section as functions of the energy of incident projectile, single differential cross section and double differential cross section as a functions of the energy and the angle of the ejected electron are calculated. The ionization mechanisms of soft collision, electron capture to the continuum state, binary encounter collision are demonstrated. The effect of 'saddle point' is also discussed by calculating the ejected electron distribution depending on the ratios of distances between electron and target and between electron and projectile.

关 键 词：电离过程 原子碰撞 经典径迹蒙特卡罗方法 能量变化 微分截面 入射离子 反应过程 碰撞电离 计算结果 平均能量 电子转移 离子能量 分布研究 电子能量 总截面 氢原子 软碰撞 连续态 可能性 电子数 机理 一阶 二阶 相遇 鞍点 

分 类 号：O562.5[理学—原子与分子物理]