单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法  

作　　者：杨海方[1] 刘立伟[1] 金爱子[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京市海淀区中关村南三街8号100080

出　　处：《科技开发动态》2005年第6期35-36,共2页R&D Information

摘　　要：编号：0506206 该发明专利是一种单根一维纳米材料的测试电极及制备方法。

关 键 词：一维纳米材料 制作方法 电极 测试 单根 制备方法 发明专利 

分 类 号：O646.54[理学—物理化学] TB383[理学—化学]