新型场致发射显示器件的研究现状与展望  

Investigation and outlook for novel Field Emission Display(FED)

作　　者：王金婵[1] 杨杨[1] 张晓兵[1] 雷威[1] 王琦龙[1] 张宇宁[1] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系,江苏南京210018

出　　处：《真空》2005年第3期1-5,共5页Vacuum

基　　金：国家973计划(No.2003CB314706和No.2003CB314702);教育部博士点基金(编号:20030286003);东南大学科技基金(编号:XJ030611和XJ030612)支持。

摘　　要：场致发射显示器(FieldEmissionDisplay)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、un-der-gate三极结构以及double-gate四极结构等器件结构特点进行了讨论。As panel display units, FEDs maintain the perfect performance of CRT and will be widely used in the future. Introduces the up-to-date R&D of FEDs, of which the Carbon Nanotubes Field Emission Display (CNT-FED) and the novel structure of Field Emission Display are focused on. Discusses the characteristics and the triodic structures of Normal-gate and Under-gate and tetrodic structure of Double-gate.

关 键 词：场致发射 碳纳米管 三极结构 

分 类 号：TN141[电子电信—物理电子学]