集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系  

ESD Injection Damage Effects of Integrated Circuits and its Relationship between the Injected Voltage and Energy

作　　者：谭志良[1] 刘尚合[1] 林永涛[1] 刘存礼[1] 国海广[1] 杨洁[1] 

机构地区：[1]军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003

出　　处：《军械工程学院学报》2005年第3期8-11,共4页Journal of Ordnance Engineering College

摘　　要：利用静电放电(ESD)模拟器对集成电路芯片进行电压注入损伤效应实验,通过存贮示波器记录的波形进行乘法和积分运算,得到对应注入电压下芯片上吸收的平均峰值功率和能量.对放电电压与平均峰值能量作散点图,采用曲线拟合的方法对离散点进行拟合,针对该曲线拟合的方法进行了分析,最终建立了ESD注入电压与平均峰值能量之间的数学模型.

关 键 词：ESD 电压 能量 效应 损伤 集成电路芯片 曲线拟合 静电放电 数学模型 模拟器 示波器 峰值 平均 散点图 

分 类 号：TM08[电气工程—电工理论与新技术] TM63