低比表面积高烧结活性氧化锆粉体的制作方法  

作　　者：施剑林[1] 蒋丹宇[1] 张玉峰[1] 黄德信[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海市定西路1295号200050

出　　处：《科技开发动态》2005年第4期41-42,共2页R&D Information

摘　　要：该发明专利是低比表面积高烧结活性氧化锆粉体的制作方法。该专利提出的制备工艺是：以氧氯化锆，硝酸钇为原料，氨水为沉淀剂，反应生成的氢氧化物沉淀经水洗、干燥、煅烧、球磨、喷雾造粒得到晶粒小、团聚少的低比表面积高烧结活性氧化锆粉体。其特征是制备工艺简单、工艺参数易控制、易于大规模低成本工业化生产。

关 键 词：氧化锆粉体 烧结活性 比表面积 制作方法 制备工艺 工业化生产 发明专利 氧氯化锆 氢氧化物 反应生成 喷雾造粒 工艺参数 硝酸钇 沉淀剂 氨水 煅烧 球磨 

分 类 号：TQ134.12[化学工程—无机化工] TQ174.758