CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究  

作　　者：欧谷平[1] 宋珍[2] 桂文明[1] 张福甲[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000 [2]北京机械工业学院基础部,北京100085

出　　处：《光子技术》2005年第2期25-28,32,共5页Photon Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(60276026);甘肃省自然科学基金项目(ZS031-A25-012-G)

摘　　要：本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。

关 键 词：CuPc缓冲层 空间积累电荷 电流-电压特性 发光效率 OLED 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]