低维C_(60)系统电子结构的研究  

作　　者：荀坤[1] 吴思诚[2] 姚军[3] 邓俊琢 刘凤琴[3] 吕斯骅[2] 王祖铨[2] 韩汝珊[2] 

机构地区：[1]烟台大学物理系,山东烟台264005 [2]北京大学物理系,北京100871 [3]中国科学院高能物理研究所国家同步辐射实验室,北京100039

出　　处：《中国科学（A辑）》1994年第3期316-322,共7页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金;山东省科研基金

摘　　要：本文利用X射线和紫外光电子能谱研究了金属锡衬底上沉积的C_(60)薄膜的电子结构,对于亚单层的C_(60)薄膜,来自C_(60)价带顶部占有的分子轨道(π_(5u和π_(4g))的两个价带峰的宽度与固体C_(60)的谱相比增加了0.3eV,实验结果的分析表明:电子在上述两个π带中的公有化运动是很弱的,固体C_(60)应该被看作是强相关的电子体系,对于厚度接近一个单层的C_(60)薄膜,C 1s芯能级谱的结果表明在低于C 1s主峰22eV处出现了一个很宽的能量损失峰,实验表明该峰可能是来自二维C_(60)薄膜的等离子体损失峰,固体C_(60)中位于C 1s主峰以下28eV处的等离子体损失峰只是在C_(60)薄膜的覆盖度大于两个单层之后才被观察到,这表明上述损失峰并非来自单个C_(60)分子而是来自固体C_(60)。

关 键 词：低维 电子结构 碳60 薄膜 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]