一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法  

出　　处：《有色冶金节能》2005年第3期47-47,共1页Energy Saving of Nonferrous Metallurgy

摘　　要：该发明涉及一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法。该芯片包括-n-型硅基片，在共正面扩散硼形成p+型搀杂层，在该层上面沉积二氧化硅、刻蚀成隔离层，在其上附着一振动膜层，振动膜层之上沉积金属铝膜，并光刻、腐蚀成圆形铝膜和方形铝电极；在硅基片的背面有一层氮化硅保护膜，从硅基片的底面腐蚀出一梯形缺口，该梯形缺口的深度至p+型搀杂层，并垂直于p+型搀杂层地方向上腐蚀出声学孔形成穿孔背板，穿孔背板与氮化硅做的振动膜层之间为空气隙。

关 键 词：电容传声器 制备方法 芯片 种用 硅基片 二氧化硅 氮化硅 n-型 搀杂 隔离层 膜层 振动 铝电极 腐蚀 保护膜 空气隙 沉积 铝膜 缺口 梯形 背板 穿孔 孔形 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工] TN641.2[电子电信—电路与系统]