用掺杂控制纳米管的行为  

作　　者：戴闻 

出　　处：《物理》2005年第7期540-540,共1页Physics

摘　　要：1988年，基于磁性金属多层膜的巨磁电阻(GMR)效应被发现．1977年IBM公司将GMR读出头引入到硬盘驱动器，从此这类利用电子自旋自由度更深层次的应用在于构成自旋晶体管，并且使得当今高度发展的硅基半导体技术继续发挥作用．在传统的场效应晶体管(FEI)中，门电极电压被用来控制源和漏两极之间的“通一断”，这是因为门电场能够将电子从通道中驱赶出去，使通道从异体变成绝缘体．在自旋FEI中，

关 键 词：控制 纳米管 磁性金属多层膜 掺杂 场效应晶体管 1988年 硬盘驱动器 IBM公司 1977年 自旋晶体管 自旋自由度 半导体技术 巨磁电阻 GMR 电场能 绝缘体 电子 通道 硅基 

分 类 号：TN104.3[电子电信—物理电子学] TB383[一般工业技术—材料科学与工程]