Photoluminescence Investigation of Two-Dimensional Electron Gas in an Undoped AlxGa1-xN/GaN Heterostructure  

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作  者:韩修训 吴洁君 李杰民 丛光伟 刘祥林 朱勤生 王占国 

机构地区:[1]KeyLaboratoryofSemiconductorMaterialsScience,InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,POBox912,Beijing100083

出  处:《Chinese Physics Letters》2005年第8期2096-2099,共4页中国物理快报(英文版)

分 类 号:O43[机械工程—光学工程]

 

参考文献:

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