Fe/GaAs中自旋注入效率的研究  

The Research of the Spin Injection Efficiency in Fe/GaAs

作　　者：张余洋[1] 刘之景[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学近代物理系,合肥230026

出　　处：《半导体技术》2005年第8期58-61,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60377004)

摘　　要：自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。Spintronics is a new research field developing in recent years. Spintronics devices based on the control and manipulation of electron spin were attracted considerable attention. A spin drift-diffusion equation is discussed, and the spin injection efficiency in Fe/GaAs structure, which is a representative of ferromagnet/semiconductor (FM/SC) structure, is analyzed.

关 键 词：自旋电子学 自旋的漂移-扩散方程 自旋注入效率 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]