基于碳纳米管薄膜的吸附式气体传感器的研究  

作　　者：李昕[1] 刘君华[2] 朱长纯[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电信学院,西安710049 [2]西安交通大学电气学院,西安710049

出　　处：《中国科学（E辑）》2005年第7期689-700,共12页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50077016;60036010;60276037)

摘　　要：研究了低温低压化学气相沉积(LPCVD)法生长的多壁碳纳米管薄膜对气体的敏感性.结果表明纯的多壁碳纳米管薄膜对气体没有明显的气敏特性,而碳纳米管-二氧化硅复合薄膜表现出对甲烷、氢气和乙炔的敏感性.LPCVD法生长的多壁碳纳米管-二氧化硅复合薄膜由于Schottky结的形成而具有电容性,被测气体在多壁碳纳米管表面发生化学吸附,从而调节Schottky结处存在的空间放电区域而导致介电常数改变是其对气体敏感的主要原因.

关 键 词：碳纳米管薄膜 气体传感器 Schottky结 吸附式 低压化学气相沉积 多壁碳纳米管 LPCVD法 复合薄膜 二氧化硅 气敏特性 化学吸附 介电常数 敏感性 电容性 放电区 生长 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]