I-V-T studies on Ni-silicide／n-Si（100） contacts formed by Ti-Ni-Si solid state reaction  

作　　者：竺士炀 茹国平 周嘉 黄宜平 

机构地区：[1]DepartmentofMicroelectronics,FudanUniversity,Shanghai200433,China

出　　处：《Chinese Physics B》2005年第8期1639-1643,共5页中国物理B（英文版）

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]