用PSPICE多瞬态分析法建立新型电力电子器件的模型特性  

The PSPICE Multiple Transient Analysis for the Study of Power Electronic Device Model Characteristics

作　　者：何湘宁[1] 

机构地区：[1]浙江大学

出　　处：《电力电子技术》1995年第3期62-66,76,共6页Power Electronics

摘　　要：讨论了在ＰＳＰＩＣＥ中建立电力电子器件模型的特点，提出用多瞬态分析功能获得新型电力半导体器件模型特性的方法。以绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）为例，将访在结果与实际器件进行了比较。

关 键 词：电力半导体器件 仿真 模型 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]