一种测量平面型硅器件界面电荷密度的新方法  

A new Method for Measuring Boundary Charge Density of the Planar Semiconductor Devices

作　　者：张少云[1] 范明海[1] 徐传骧[1] 

机构地区：[1]西安交通大学

出　　处：《电力电子技术》1995年第3期71-73,共3页Power Electronics

摘　　要：提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。给出了用此方法求得几种常用保护材料的带电电性和电行量值。

关 键 词：电力半导体器件 测量 界面电荷密度 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]