检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘少民[1] 金闻博[1] 戴亚[1] 谢跃勤[1] 李卫华[1] 曹稳根 刘小阳[1]
机构地区:[1]合肥经济技术学院,安徽教育学院,安徽宿州师专
出 处:《合肥工业大学学报(自然科学版)》1995年第1期132-136,共5页Journal of Hefei University of Technology:Natural Science
摘 要:对于序列聚(dG-nr)和聚(dA-dT)来说,本文介始了C-DNA活性位置的分子静电势(MoleculerElectrostaticPotential)的计算方法和结果[1].描述了双螺旋表面外壳(SurfaceEnvelopes)上势的分布,并将其与B-DNA有关结果[2-4]作了比较.he molecular electrastatic potentials associocted with reactive site of C-DNA arecalculated for the sequences poly(dG-dC) and POly (dA-dT). The distribution of potential on thesurface envelopes of the doublehelices are also presented. The results are compared with those ob tained for B-DNA。
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