晶场下量子横Ising非晶薄膜的相图  

作　　者：仲嘉霖 吴银忠 

机构地区：[1]常熟高专物理系

出　　处：《常熟高专学报》1995年第4期8-12,共5页Journal of Changshu College

摘　　要：本文使用有效场理论调查了具有晶场的量子横Ｉｓｉｎｇ非晶薄膜的临界性质，其中特别详细地调查了临界温度与薄膜厚度和表面非晶参数ηｓ的关系。

关 键 词：薄膜 晶场 模Ising模型 非晶薄膜 相图 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]