提高MCVD金刚石薄膜成核密度的有效方法  

AN EFFECTIVE METHOD FOR INCREASEEL NUCLEATION DENSITY OF MCVD DIAMOND THIN FILM

作　　者：刘大军 何金田 王小平 张兵临 王建恩 沈书泊 

机构地区：[1]河南省基础及应用研究所

出　　处：《郑州大学学报（自然科学版）》1995年第4期45-47,共3页Journal of Zhengzhou University (Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：本文比较先在硅衬底上沉积无定形金刚石膜，然后再沉积金刚石膜，和直接在硅衬底上沉积金刚石膜的结果，前者成核密度大大提高，最后分析了提高成核密度的原因。Compare the result of deposited diamond film on amorphous diamond film sur'-face with silicon subxtrate.The nucleation density of diamond deposition on amorphous di-amond film was increased.analyse the reason of enhanced nucleation density of diamond film.

关 键 词：无定形金刚石膜 成核密度 金刚石薄膜 MCVD 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]