GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展  

The Development of Reliability Research on GaAs Devices and MMICs

作　　者：来萍[1] 

机构地区：[1]中国电子产品可靠性与环境试验研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1995年第4期381-390,共10页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。This paper introduces the development of reliability research on GaAs devices and MMICs. The main failure modes and mechanisms for GaAs MES FET,HEMT and MMIC,and their lifetimes under the typical channel temperature are given here.

关 键 词：可靠性 失效模式 失效机理 砷化镓 半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN306