VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术  

作　　者：李炳宗 

出　　处：《上海微电子技术和应用》1995年第4期26-36,共11页

摘　　要：随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。

关 键 词：VLSI ULSI 集成电路 多层金属互连 

分 类 号：TN470.597[电子电信—微电子学与固体电子学]