控制门极参数提高晶闸管成品率的新方法  

作　　者：蒋晓波[1] 

机构地区：[1]浙江大学电工厂

出　　处：《半导体技术》1995年第2期16-18,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：针对晶闸管生产中门极参数控制存在的问题，提出了改善门极参数的新方法即ｎ￣＋扩散调整法和表面挖槽法。实验结查表明，使用ｎ￣＋扩散调整法后，门极参数的合格率提高了３０％以上，表面挖槽法则将许多废品器件转变成了合格产品。这两种方法的应用，大大提高了成品率，有着显著的经济效益。

关 键 词：晶闸管 涂源扩散 门极触发电流 参数 

分 类 号：TN345.507[电子电信—物理电子学]