电阻栅MOSFET及其应用  

作　　者：张万鹏[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系集成电路CAD研究室

出　　处：《半导体技术》1995年第3期59-61,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了ＲＧＭＯＳＦＥＴ的基本原理，以及它的器件结构和伏安特性，提出了它的互补结构，分析其输出特性，并简单介绍了其应用前景。

关 键 词：伏安特性 互补结构 栅场效应晶体管 电阻 

分 类 号：TN386.203[电子电信—物理电子学]