GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心  

Transition Group Impurities Pd and Zr Related Deep Centers in GaAs

作　　者：马红[1] 杨锡震[1] 周洁[1] 卢励吾[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]北京师范大学物理系,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第8期574-580,共7页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用结谱、光荧光等技术对Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中的光学和电学性质进行了研究．在ＧａＡｓ：Ｐｄ中观测到三个能级，分别位于导带下０．４ｅＶ、０．６０ｅＶ和价带上０．６９ｅＶ．在ＧａＡｓ：Ｚｒ中也观测到三个能级，分别位于导带下０．４３ｅＶ和价带上０．３２ｅＶ和０．５５ｅＶ．基于深中心所表现出的Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ效应，讨论了一些中心对应的荷电态，对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究．结果表明：Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中均不是有效的复合中心．Abstract The optical and electrical properties of Pd and Zr in,GaAs have been strduied by using junction spectroscopy and photoluminescence techniques. Three levels,Ec-0. 40eV,Ec-0. 66eV and Ev+0. 69eV,were observed in GaAs: Pd. Three levels,Ec-0. 43eV,Ev+0. 32eV and Ev+0. 55eV were observed in GaAs: Zr. fused on the Poole-Frankel effect,the charge states related to the centers are discussed. The capture and photoluminescence behaviors are also studied.

关 键 词：砷化镓 钯 锆 杂质 过渡元素 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]