低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器  

Low Threshold Single Transverse Mode Ridge Waveguide GaAs/AlGaAs Quantum Well Lasers

作　　者：徐遵图[1] 杨国文[1] 肖建伟[1] 徐俊英[1] 张敬明[1] 郑婉华[1] 瞿伟[1] 陈良惠[1] 毕可奎[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子集成开放实验室,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第8期598-602,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．Abstract A study on RW-SQW GaAs/AIGAAs Semiconductor Lasers is reported. Taking advantage of the wet chemical etching,single transverse mode semiconductor lasers with threshold of less than 10mA are achieved by the optimization of device structure. The lowest threshold current is 7. 3mA,this is the best level in the same ones.

关 键 词：量子进激光器 背形波导 砷化镓 ALGAAS 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]