砷化镓ASIC电路实用库的研究  

Study of Practical GaAs ASIC Libraries

作　　者：杨国洪[1] 范恒[1] 王碧娟[1] 夏冠群[1] 章洪深[1] 甘骏人[1] 姚林声 凌雷[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第12期932-936,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例．Abstract Based on the technology of GaAs MESFET double-level-metal interconneclion, c new cons'(ruction for the base array of GaAs 600-gate is presented. The design criteria for the GaAs practical macro cell library are alse described. A fullwadder's macro cell library is tised as an example to illustrate the circuit form,geornetry,inner routing and consideration of input and output. A GaAs practical gate array design systen has built oil the COMPA CAD workstation. An applied example designed in the system is given.

关 键 词：专用集成电路 砷化镓 数据库 设计 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]