半导体超晶格微结构中的多能谷效应（2）  

作　　者：薛舫时[1] 

机构地区：[1]半导体超晶格国家重点实验室,南京电子器件研究所

出　　处：《半导体杂志》1995年第2期25-33,共9页

摘　　要：半导体超晶格微结构中的多能谷效应（２）薛舫时（半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所２１００１６）六、异质谷间转移电子效应和Ｘ电子发生器ＧａＡＳ是直接带隙材料，它的导带底位于布里渊区中心Γ点。而ＡｌＡｓ是间接带隙材料，导带底位于布里渊区边缘Ｘ...

关 键 词：半导体超晶格 多能谷效应 微结构 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]