检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]北京有色金属研究总院
出 处:《材料工程》1995年第12期17-19,共3页Journal of Materials Engineering
摘 要:本研究结果表明,采用两次真空自耗电弧炉熔制的TiNiNb宽滞后形状记忆合会,滞后宽度大,力学性能好,杂质含量低,室温下能储运。his investigation results indicate that TiNiNb wide hysteresis shape memory alloy which was pre-pared by melting in consuming vacuum arc furnace at two times have a large width of hysteresis, a goodmechanical proporties and a low content of impurities,and the alloy can be stored and transported at roomtemperature.
分 类 号:TG139.6[一般工业技术—材料科学与工程]
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