金刚石的同质外延掺硼和Schottky特性  

BORON DOPED DIAMOND HOMOEPITAXIAL GROWTH AND SCHOTTKY CHARACTERIZATION

作　　者：沈荷生[1] 张志明[1] 何贤昶[1] 李胜华[1] 

机构地区：[1]上海交通大学

出　　处：《材料研究学报》1995年第2期163-166,共4页Chinese Journal of Materials Research

基　　金：国家自然科学基金;国家高技术项目

摘　　要：在＜１００＞取向的金刚石衬底上，用微波ＰＣＶＤ法进行同质外延、掺杂和Ｓｃｈｏｔｔｋｙ特性的实验研究，总结了反应气体、碳源浓度等因素对外延展形貌、结构的影响，Ｂ／Ｃ比对掺硼外延层结构、形貌和电学性能的影响，以及接触金属、温度对Ｓｃｈｏｔｔｋｙ特性的影响．An experimental investigation has been done for diamond homoepitaxial growth on(100) diamond substrate by microwave PCVD method. doping and Schottky characterization. The results concern the influence of the reaction gases,carbon concentration, ratio of boron to carbon on the morphology.structure and electrical peroperty, and the influence of contact metal, temperature on the Schottky characterization.

关 键 词：金刚石 薄膜 同质外延 硼掺杂 肖特基特性 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学] TN304.05