检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]兰州大学磁性材料研究所
出 处:《磁性材料及器件》1995年第4期53-56,共4页Journal of Magnetic Materials and Devices
摘 要:简要回顾了磁头用薄膜材料的晚近发展。用射频溅射法制备了软磁性纯铁膜并考察了溅射条件和真空退火对铁膜微结构和磁性能的影响。所有铁膜都是(110)取向的。随着阳极电压VA的增大,晶格形变量减小,矫顽力Hc下降。VA在3.4~3.8kV范围内时Hc≤310A/m,饱和磁化强度Ms约1720kA/m,略高于纯铁的块体值(1700kA/m)。退火过程中晶粒长大使软磁性能恶化,高温区因工扩散效应导致Ms下降。
分 类 号:TM271.201[一般工业技术—材料科学与工程] TN305.92[电气工程—电工理论与新技术]
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