Kondo绝缘体CeNiSn的低温物性研究  

STUDY ON THE LOW TEMPERATURE PROPERTIES OF KONDO INSULATOR CeNiSn

作　　者：范小波[1] 雒建林[1] 王玉鹏[1] 白海洋曾兴林 宋永炜 冉启泽[1] 金铎[1] 

机构地区：[1]中国科学院低温技术实验中心

出　　处：《低温物理学报》1995年第1期16-23,共8页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家自然科学基金;国家科委的专项经费资助

摘　　要：对ＣｅＮｉＳｎ的多晶样品进行了磁化率Ｘ（１．８—２００Ｋ），电阻率ρ（３—１００Ｋ），Ｈａｌｌ系数Ｒ（４．２—３２Ｋ）和低温比热（１．２—３０Ｋ）的测量．经Ｘ射线衍射分析，该样品为单相结构．磁化率Ｘ在较高温区（３０—２００Ｋ）遵循ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ定律，并可推定出Ｃｅ离子的价态是十３价的，在３０Ｋ以下磁化率Ｘ明显地偏离该定律并急剧增大，显示出明显的Ｋｏｎｄｏ行为；在１５Ｋ以上，ρ（Ｔ）很好地符合公式ａ—ｂ·ｌｎＴ，显示出Ｋｏｎｄｏ效应的行为，从ρ（Ｔ）随Ｔ的变化曲线中可看到５Ｋ处有一个峰，但在比热测量中，没有相变被观测到．比热数据表明，Ｃ／Ｔ值在６．５Ｋ附近有一个极大值（０．２３）／ｍｏｌＣｅ．Ｋ２），其中电子比热的贡献可以分成一个线性项和一个正比于ｅｘＰ（—△／ｋＴ）／Ｔ的项来拟合。实验分析结果表明，在低温下由于一个能隙（δ～１１．８Ｋ）的作用，使得ＣｅＮｉＳｎ体系在低温下出现金属到Ｋｏｎｄｏ绝缘体的转变，并且该能系不随温度显著变化．进一步的分析表明，这一转变可能是起源于传导电子的局域化．Abstract Measurements of susceptibility X (1. 8- 200K), resistance ρ (3 - 100K), Hall coefficient R (4. 2 - 32K) and low temperature specific heat (1. 2 - 30K) have been made on poly-crystal CeNiSn-sample. According to X- ray difraction, the Sample is a single phase sample. At high temperature the susceptibility X fits well with the Currie-Weiss law, the valence of Ce can be determined as + 3, below 30K, as thetemperature goes down, X becomes very large and shows typ ical Kondo characteristics. Above 15Kρ(T) fits well with a - b. InT whichmeans Kondo effect behavior, andρ(T) versus T reveals a Peak at 5K,whereas no anomaly have been found bathe specific heat. The dsts of C/T versus T2 reveals a maxium of 0. 23 J/molCe.K2. The electronic contribution to the speific heat Shows an exponentisl as well as a liner behavir. These result suggest thst a abp (δ≈11. 5K) induces the CeNiSn to chanse from metal to kodon insulator and the gap is less sensitive to the temperature. Farthur analasysshows that this transition may be origined from localization of conductive electron.

关 键 词：CENISN 低温性 KONDO 绝缘体 

分 类 号：TM212[一般工业技术—材料科学与工程] O513[电气工程—电工理论与新技术]