高T_c超导薄膜2×2阵列式红外探测器研究  

Study Of The High T_c Thin Film Array Infrared Detector

作　　者：何冠生 万发宝 平一梅[1] 樊江水[1] 张振杰[1] 王瑞兰[1] 李宏成[1] 

机构地区：[1]西北大学物理系,中国科学院物理所国家超导实验室

出　　处：《低温与超导》1995年第1期39-43,共5页Cryogenics and Superconductivity

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：进行了ＧａＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ２×２阵列式红外探测器的实验研究，设计研制了两种形状的２×２阵列芯片，并对芯片单元器件的基本性能进行了观测，经过筛选，同一芯片上四个单元器件的Ｔｃ值和起始转变点到零电阻的电阻落差值的差异５％。在总偏置电流为１ｍＡ时，程序控制扫描测试器件的噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）９×１０－１２ＷＨｚ，探测率Ｄ６．４×１０９ｃｍＨｚｗ，响应率Ｒｖ＞２５８０Ｖ／Ｗ。Our report was an experimental study of the 2×2 array infrared detector in GaBa2Cu3O7-δ.Two different patterns of sample were designed and fabricated. The properties of detector have been observed. The difference of sampli’s character are5%.On the 1 mA bias current, the measurement results are as follows: NEP (500, 10, 1)9×10-12WHz, D6.4×109cmHzW-1,Rv2580VW-1

关 键 词：超导薄膜 陈列 红外探测 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]