Tl_2Ba_2CaCu_2O_y单晶在外加低直流磁场下的交流磁化率研究  

AC Susceptibility Of Tl-2212 Single Crystal Under Low DC Magnetic Field

作　　者：孟宪仁 彭志强[1] 涂清云[1] 林明柱[1] 王益宽[1] 林振金 桑丽华[1] 刘振兴[1] 

机构地区：[1]北京师范大学物理系,中国科学院北京物理所

出　　处：《低温与超导》1995年第1期15-19,共5页Cryogenics and Superconductivity

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：该文用交流磁化率法对Ｔｌ－２２１２单晶样品在低场下进行了研究。在外场为零的情况下，改变交流场的频率，所得的交流磁化率实部的拐点温度Ｔｍ和虚部峰值温度Ｔｐ不发生明显改变：在外加直流磁场ＨＤ平行于单晶样品Ｃ轴情况下，得到的交流磁化率虚部峰值温度Ｔｐ和外加磁场ＨＤ的关系为：（１－Ｔｐ／Ｔｃ）∝ＨＤ０．The low magnetic field dependence of AC complex susceptibility in Tl-2212 single crystal with H ||C-axis has been investigated The results show that the peak-temperature of imaginary part(Tp) is proportional to H, where HD is the external DC magnetic field.

关 键 词：Tl-2212单晶 低磁场 交流磁化率 

分 类 号：O782[理学—晶体学]