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机构地区:[1]北京大学,华中理工大学
出 处:《电工技术学报》1995年第1期67-70,47,共5页Transactions of China Electrotechnical Society
基 金:国家教委回国人员基金
摘 要:本文运用Lansmuir静电探针技术,对真空电弧镀膜过程中,基片鞘层附近区域的电子能量电子密度值及其受基片偏压影响而改变的关系进行了实验测量。结果表明,在环境压力为5.32Pa电弧电流为75A,进行钛金属薄膜沉积时,等离子体参数的特征值表征为电子能量值1~5eV.电子密度值1011cm-3左右;且随着基片偏压值的增大,电子能量有缓慢的增加,而电子密度则显著下降。最后,对测量结果进行了分析与讨论。This paper is concerned with plasma properties of a vacuum arc discharge with the titanium cathode. Electric probe characteristics are measured as a function of substrate bias voltage near substrate region. The results obtained from these measurements show that electron energy is 1~5eV, electron density is 1. 5×1011 cm-3, respectively.And, with the enhancement of substrate bias voltage, electron energy increase gradually, electron density decrease sharply. Lastly, some discussion to the results is also presented.
分 类 号:TN305.8[电子电信—物理电子学]
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