提高功率器件抗热疲劳性能研究  

作  者:郭萍 

机构地区:[1]杭州半导体厂

出  处:《半导体技术》1989年第3期24-28,共5页Semiconductor Technology

摘  要:众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响功率器件可靠性的重要因素.因此,开展间歇工作寿命试验(即疲劳试验)。

关 键 词:功率器件 抗热疲劳性能 

分 类 号:TN320.1[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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