1.3μm InGaAsP／InP压应变多量子阱激光器的极低阈值（0.56mA）工作  

作　　者：彭珍珍 艾恕 

出　　处：《光纤通信技术》1995年第3期31-32,共2页

摘　　要：通过优化有源层和采用具有高反射涂层的短腔体，对于１．３μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变ＭＱＷ激光器在室温下（２５℃）获得了０．５６ｍＡ这一创记录的低阈值。

关 键 词：半导体激光器 压应变多量子阱 阈值 激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]