脉冲红外激光诱发SiCl_4解离的通道  

The Pass of Pulse IR Laser-Induced Decomposition of SiCl_4

作　　者：张杰[1] 张昌言[1] 李艳玲[1] 蔺恩惠 邱明新 陆雪标 

机构地区：[1]西北师范大学化学所 [2]上海激光技术研究所

出　　处：《应用激光》1989年第6期251-254,共4页Applied Laser

基　　金：北京中关村联合分析测试基金

摘　　要：本文用荧光光谱方法研究了脉冲红外激光诱导 SiCl_4解离的通道,在 SiCl_4的解离过程中观测到硅原子,硅离子、氯原子,氯离子的荧光谱线、得到在均相和多相体系中 SiCl_4解离的能量阈值。The pass of decomposition of SiCl_4 induced by pulse IR laser was researched,andthe fluorescence spectra of Si(Ⅰ),Si(Ⅱ),Cl(Ⅰ),Cl(Ⅱ)were observed.The energy thresholds ofdecomposition of SiCl_4 in homogeneous and heterogeneous system were obtained.

关 键 词：激光诱发 Sicl4 解离 通道 

分 类 号：O612.7[理学—无机化学]