微量Xe对He-Ne光电流谱的影响  

The Effects on the Spectrum of He-Ne Optic-Electric Currents Arising From Micro Xe Doping

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作  者:薛占林 宋威[1] 崔淑鑫 

机构地区:[1]哈尔滨科学技术大学,哈尔滨轻工学院

出  处:《哈尔滨科学技术大学学报》1995年第2期77-81,共5页

摘  要:介绍了微量杂质xe对光电流谱的影响,测量了光电压与入射光强、放电电流、Xe浓度的关系,探讨了用光谱方法测量微量杂质的可行性。Abstract The effects on the spectrums of optic-electric currents arising from micro Xe doping was introduced in this paper.The dependences of the optic-electric voltage upon the incident light,the discharge currents and Xe concenthetions have been measured,The possibility of measuing thace doping with the speetrum of optic-electric current have also been discussed.Key worlds spectrum. optic-electric current rate,response excitation

关 键 词:光电流谱   激光 杂质  

分 类 号:TN241[电子电信—物理电子学]

 

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