单畴磁膜磁阻效应的计算  

Calculation of Magnetoresistance for Magnetic─film of Single Domain

作　　者：刘英[1] 任世伟 张忠武[1] 

机构地区：[1]河北轻化工学院基础课部,石家庄市广播电视大学,河北师范大学

出　　处：《河北轻化工学院学报》1995年第4期1-7,26,共8页

基　　金：中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室资助

摘　　要：对磁记录中使用的磁阻传感器的磁阻效应进行了定量分析，并提出了一种新的单畴磁膜退磁场的近似计算方法──平行线近似。计算结果表明，该近似比椭圆近似更好地反映了外磁场作用下单畴膜的磁荷分布。In this paper, the magnetoresistance effect of the magnetoresistance sensor applied in the magnetic record is analysed quantitatively. The parallel line approximation-a new method for The approximation of demagnetizing field in magnetic-film of single domain is presented. The results of the calculation show that this approximation describing the magneticcharge distribution on tile film of single domain under the interaction of applied magnetic field is better than the ellipse approximation.

关 键 词：磁阻 传感器 磁膜 平行线近似 计算 磁记录 

分 类 号：TP333.3[自动化与计算机技术—计算机系统结构] O482.52[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]