光电子能谱研究O_2和Rb在InSb（111）表面上共吸附  

Photoelectron Spectroscopic Study of Coadsorption of O_2 and Rb on InSb(111) Surface

作　　者：吴建新[1] 麻茂生[1] 刘先明[1] 朱警生[1] 季明荣[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构研究开放实验室

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》1995年第6期559-563,共5页化学物理学报（英文）

摘　　要：本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温ＴＯ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２）和超氧化铷（ＲｂＯ２）。通过芯能级和价电子的变化，揭示了各种氧离子态（Ｏ２－，Ｏ，Ｏ）的形成。Abstract Photoelectron spectroscopy(XPS and UPS) technique has been used to study coadsorption of O2 and Rb on InSb(111) surface at room temperature. The bonding state between Rb atoms and InSb surface and the catalytic effect of Rb adsorbate on the substrate oxidation were investigated. The results show that the Rb adsorbate reacts with the Sb atom of the InSb surface enhancing the oxidation rate of the In and Sb atoms on the InSb surface. Two kinds of Rb oxides (Rb2O2 and RbO2) have been observed during oxygen adsorption. The spectra of core-level and valenceband reveal the existence of three oxygen ion states(O2-, O and O ).

关 键 词：光电子能谱 氧气 铷 铟 锑 半导体表面 吸附 

分 类 号：O647.31[理学—物理化学]