用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构  

作　　者：赵伯林 林礼煌 

出　　处：《激光与光电子学进展》1995年第12期13-15,共3页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生长任意结晶面方位的晶体生长技术（面...

关 键 词：外延生长 半导体材料 原子层 量子线 结构 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]