制备45°双外延超导结的新工艺  

NEW METHOD TO FABRICATE 45° BI-EPITAXIAL SUPERCONDUCTING JUNCTIONS

作　　者：李壮志[1] 王福仁[1] 孟树超[1] 马平[1] 聂瑞娟[1] 戴远东[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《低温物理学报》2005年第3期241-245,共5页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家重点基础研究计划项目(项目编号:G1999064609);国家高技术研究发展计划项目(项目编号:2002AA306412)资助.~~

摘　　要：我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面粗糙度和去除变质层,得到了具有100%面内45°旋转的YBCO外延膜,其临界电流密度77K时在106A/cm2量级.通过湿法刻蚀得到的双外延Josephson结表现出RSJ特性.The pulsed laser deposition technical is used to investigate the growth of YBa2Cu3O7-δ（YBCO） film on MgO substrate through CeO2/YSZ double buffer layers.It is found that the surface morphology of the substrate is the key parameter to obtain ideal epitaxial films. Using low energy ion beam to bomb the MgO surface for increasing its surface roughness and eliminating the metamorphic layer, we achieve the YBCO epitaxial film with fully 45~ in-plane rotation. The YBCO film has a critical current density of 10^6A/cm^2 at 77K. The bi-epitaxial superconducting junction fabricated by wet method exhibits RSJ character.

关 键 词：YBCO薄膜 双外延超导结 YBA2CU3O7-Δ JOSEPHSON结 工艺 临界电流密度 薄膜质量 表面质量 低能离子束 

分 类 号：O511[理学—低温物理]