双层有机电致发光器件AlQ厚度优化的研究  

Optimization of AIQ Thickness in Double Layer Organic Light-emitting Devices

作　　者：季兴桥[1] 黎威智[1] 钟志有[1] 王涛[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,四川成都610054

出　　处：《光电子技术与信息》2005年第4期26-28,共3页Optoelectronic Technology & Information

基　　金：部级预研基金(51402040205)

摘　　要：采用真空蒸发法制备了双层结构(ITO/NPB(15nm)/AlQ(x)/Mg:Ag)有机电致发光器件(OLED)。测试分析了8-羟基喹啉铝(AlQ)厚度对OLED的B-V、J-V和η-V特性的影响,结果表明AlQ厚度对OLED器件的性能有显著的影响;当AlQ厚度在40nm时器件的发光亮度、发光效率以及稳定性都是最佳,但是当厚度变化时对光谱影响不大。In the double layer OLED device,the structure of ITO/NPB（15 nm）/AlQ（x）/Mg：Ag was prepared in the vacuum. The thickness of tris-（8-hydroxyquinoline） aluminum influences the curve of J - V , B - Vand η- V by testing and analysing. The result expresses that the thickness of AlQ influences the performance of the OLED. At last in the 40 nm the brightness , efficiency and stability are the most perfect, but the thickness doesn＇t influence the spectrum.

关 键 词：8-羟基喹啉铝 OLED 厚度优化 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]