混合SETMOS结构单元及其仿真实现方法  

SETMOS and Simulation Realization

作　　者：李芹[1] 蔡理[2] 孟锋[1] 

机构地区：[1]空军工程大学工程学院,陕西西安710038 [2]空军工程大学理学院,陕西西安710051

出　　处：《微电子学与计算机》2005年第7期24-26,30,共4页Microelectronics & Computer

基　　金：陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)

摘　　要：阐述了SETMOS的结构、特性及应用。基于正统理论,分析了几种仿真混合SETMOS电路模型各自的优缺点,并给出了改进的MIB模型的仿真方法,该模型对于混合SETMOS模拟和数字电路的仿真及设计都较为精确。The structures, characters and applications of SETMOS are clarified. A few of simulation methods, the advantages and disadvantages of them are analyzed respectively, and the modified MIB model , are introduced in details, and compared with other methods, it is accurate for the analog and digital circuits, based on the orthodox theory of single electron tunneling.

关 键 词：混合SETMOS结构单元 库仑振荡 负微分电阻器件 改进的MIB模型 

分 类 号：TN389[电子电信—物理电子学]