用对向靶溅射法制备巨磁阻超晶格薄膜  

作　　者：曾宪庭[1] 黄康权[1] 

机构地区：[1]香港中文大学物理系

出　　处：《科学通报》1995年第14期1257-1260,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：巨磁阻(GMR)超晶格薄膜(如Co/Cu,Ni/Ag以及Fe/Cr等系统)的研究已取得许多重要成果,其中Co/Cu多层薄膜受到特别重视,因其具有较高的室温巨磁阻效应,而且重复性好和容易制备,极有希望首先得到应用,已报道的制备方法包括分子束外延、超高真空蒸发以及磁控溅射,其中,磁控溅射法所得到的GMR较大,采用较为普遍,普通磁控溅射中铁磁靶材引起的磁屏蔽导致溅射率低,而且靶面溅蚀不均匀以及存在对薄膜的二次溅射等问题.

关 键 词：巨磁阻 超晶格 钴 铜 薄膜 对向靶溅射法 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]